tlc-f(tcl智能锁安装全过程)
资讯
2023-12-05
36
1. tlc-f,tcl智能锁安装全过程?
安装锁芯,将锁芯11装入门上孔内,用螺钉将其固定好,并将锁芯线穿入门内侧。安装锁头:将锁头14拧入锁芯孔内,拧到锁头伸出部分和前盖板高度相等为止。安装前锁盖:将把手弹簧放入前锁把手孔内大方轴放入锁芯拔孔内,前盖板把手孔与大方轴,锁头孔与锁头对正,合上前盖板。插件:将锁芯线插头插到前锁盖上电脑板相应的插座上。
安装后锁盖:将把手弹簧装入后锁盖把手孔内,小方轴装入旋钮孔内,大方轴装入锁芯拔叉孔内。将后锁盖把手孔与大方轴、小方轴与锁芯小方轴孔对正,合上后锁盖。
上固定螺钉:调正前后锁盖位置,将4个锁盖固定螺钉拧好。固定锁头:调整锁位置,使其端面和前锁盖平,锁孔处于垂直位置,将锁头固定螺钉拧紧。装电池盖:将电池盒插入锁芯电池盒架内。上侧饰板:用螺钉8将侧饰板固定好。检查门锁
2. TCL显示器花屏是什么故障?
TCL电视机花屏的一般原因及处理方法:
1、如果电视机开机时正常 ,几分钟后变为花屏 ,变花屏后屏幕亮度变亮 ;一般可通过测量逻辑板上的GAMMA校正电压,常见的就是AS15-G故障,可以触摸AS15-G是否发烫;如果会烫手则判断为AS15-G故障;主要测量各个GAMMA电压是否异常,以判断具体哪一个GAMMA电压错误,更换新的AS15-G即可恢复正常;
2、如果是屏幕的色彩显示混乱导致的花屏,一般可判断为液晶屏本身的问题;因为液晶屏显示图像要有背光源和能够改变液晶体排列方向的电路,该电路分别控制着液晶RGB三种颜色像素小点,一旦出现故障就会导致却色或引起花屏;
3、一般TCL电视机花屏都是与电视机的硬件故障有关,包括屏幕故障、屏幕排线故障或者主板上的电路、电容故障,以及其他内部零部件故障都可能导致花屏;普通用户建议联系电视机的售后服务对电视机进行全面的检测和保修。
3. 如何组装一台电脑?
装一台电脑是很麻烦的,下来我给大家说说。
先是CPU安装
一,拿出主板,先装CPU,以英特尔处理器为例,注意好CPU上的凹陷口,对准CPU插槽。
二,拉起拉杆,打开CPU插槽上盖,将CPU对准后直接放入插好即可。
三,合上盖子,然后将拉杆复位,此时塑料盖会自动弹出,然后就是涂抹散热硅脂,注意只需要薄薄一层就行,切勿太厚。
散热器安装
一,安装CPU后就是安装散热器,散热器有两种。如果是原装散热器,那么散热器底部是自带硅脂的,如果非原装,那么自己涂一下就行。塑料针脚卡扣与主板上的开孔是对应的,直接对准装上去就行,很简单。
二,安装到主板后,再将供电线连接到主板的CPU FAN插槽上,主板上会写着。完成后,检查主板背部,看看散热器的卡扣是否完全扣在主板上。
内存条安装
内存条安装很是简单,只需要注意卡扣,安装内存条时要先把卡扣打开,然后对准插入内存条就行,在安装内存条时,如果你是两根内存条,需要组建双通道,只需要安装到同一颜色就行。
M.2固态硬盘安装
主板上一般支持2242、2260、2280三种M.2固态硬盘,安装方法也很简单,金手指插入M.2插槽后,用螺丝固定即可。
安装主板
完成以上步骤后才能安装主板。
首先将I/O挡板固定在机箱上,然后主板对着I/O接口放到机箱里面,在用螺丝固定好就行了。如果机箱有自带风扇,那么还需要把风扇的供电线连接到主板上的SYS_FAN接口
连接接口
连接前置音频接口,一般标有HD AUDIO,在主板上找到相应的插针,主板上也会有标识,然后直接插入即可。连接USB接口,与音频接口一样,找到相应的标识然后插入,其他接口以此类推。跳线,跳线有POWER SW电源开关、LED POWER+/-电源指示灯、HDD LED硬盘指示灯、PESET SW重启按钮,每个主板的连接都不同,但是有一点是一样的,就是找到相应的标识,不管是什么接口,主板和连接线上都会有英文字母标识,找到对应的安装就行了。
安装显卡
没有显卡就不用看了,如果需要安装独立显卡,请打开显卡PCI-EX16插槽尾部的固定卡扣,然后安装显卡。
安装电源
一般机箱都采用下置电源设计,所以在安装电源的时候,电源风扇要向下吹风。电源的24pin先插入主板对应的插槽。电源上的8pin CPU线,接口上会写CPU,接到靠近8pin CPU接口中,如果主板是4pin CPU的插槽,那么可以将8pin CPU线分解。把PCI-E供电线插入显卡的外置供电线。
最后就是
完成最后的电源安装,那么电脑也就算装完了,其实还是挺简单的,完成后,需要进行测试,连接显示器、键鼠直接开机,进BIOS设置好硬盘启动,然后安装系统。
4. RRAM最近怎么没消息了?
资讯 电路方案 开发板 数据手册 部件采购 ...
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一文读懂RRAM,为啥说它最有希望取代DRAM?
2017-12-12 11:02:06 来源:存储在线
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RRAMDRAM
日前,一年一度的中国存储峰会在北京如期举行,“数据中流击水,浪遏飞舟”是今年大会主题,论道存储未来,让数据释放价值,业界嘉宾围绕中国及全球存储市场的现状与发展趋势进行了深入解读,干货满满。
下午第三分论坛,中国计算机协会信息存储专委会主任冯丹作为开场嘉宾,就算存融合的忆阻器发展趋势及RRAM(阻变存储器)性能优化方法展开主题演讲。冯丹表示,当前忆阻器呈现出大容量、计算与存储深度融合的发展趋势,而RRAM容量很大,速度快、能耗低,RRAM也认为是下一代代替DRAM(动态随机存储器)的一个很好的选择。
冯丹从三个方面介绍忆阻器的相关发展,首先是市场需求,IDC预计,到2020年全球的数据量将达到40ZB,数据量强大,另外一方面是对存储的需求,包括高性能计算的存储需求,以及各种各样的网络应用,对存储的需求是速度更快。例如12306,春运时每天超过300亿次PV操作,每秒并发访问1.3 GB的数据,对内存的需求非常大,包括大数据分析等都是放在内存里,而大规模计算所需内存容量将是现在的1000倍,内存需求以及供给存在巨大差距。
忆阻器RRAM最有希望取代DRAM
当前,DRAM以电容器中电荷量的多少来存储数据,电容器必须设计的足够大以增加保留时间,降低刷新频率,这样就导致容量和能耗受限,工艺制程难以下降,而CPU性能的增长速度飞快,内存容量的增长远低于CPU性能的增长速度,也就是通常所说的内存强的问题,另外是能耗问题,随着容量的进一步增大,泄漏功耗进一步的增加,服务器40-50%能耗来自内存,DRAM的能耗中有40%来自刷新。
ITRS报告指出,DRAM很难在20nm技术结点以下保持可扩展性,DRAM工艺在达到X-nm之后将会停止,当DRAM工艺到了几个纳米之后,扩展性受限。冯丹表示,比较包括自旋转移在内的几种存储器,其中最典型的代表就是忆阻变,通过不断的研究发展,当前的RRAM容量很大,速度很快能耗很低,所以也认为RRAM也是下一代代替DRAM的一个很好的选择。
以RRAM为例,用忆阻器来做存储,金属氧化物的存储器的主要原理,首先就是在低阻态状态下,存储器可以使导电丝断掉,成为高阻态,而这个操作时间是比较长的,延迟较大,同样在这种状态下,再加上一定大小的电压,就使得导电丝从高阻态变成了低阻态。
RRAM阵列的结构有两种,一种是交叉点结构,单晶体管单电阻(1T1R)阵列的结构是,在每一个交叉点都需要一个访问晶体管,以独立选通每一个单元。但它的缺点也非常明显,1T1R结构的RRAM的总芯片面积取决于晶体管占用的面积,因此存储密度较低。Crossbar结构也颇受关注,每一个存储单元位于水平的字线(WL)和垂直的位线(BL)的交叉点处。每个单元占用的面积为4F²(F是技术特征尺寸),达到了单层阵列的理论最小值。其优点是存储密度较高,而存在互连线上的电压降和潜行电流路径,造成读写性能下降,能耗上升以及写干扰等问题则是其缺点所在,很多的研究都是围绕这一类展开。
RRAM最大的缺点是其严重的器件级变化性,RRAM器件状态的转变需要通过给两端电极施加电压来控制氧离子在电场驱动下的漂移和在热驱动下的扩散两方面的运动,使得导电丝的三维形貌难以调控,再加上噪声的影响,造成了器件级变化性。器件级变化性是制造可靠的芯片产品的关键问题。
大容量、计算与存储深度融合成为忆阻器的发展趋势
Crossbar结构的RRAM比1T1R结构的RRAM存储容量大,SLC的性能比MLC的性能高,而RRAM原型芯片的存储容量由Mb级逐渐向Gb级发展,技术结点逐渐缩小,读写性能逐渐提高。从容量和读写带宽的发展对比来看,RRAM虽发展较晚,但存储容量增长迅速,相比于PCRAM和STT-MRAM,RRAM在读写带宽当方面更具优势。另一方面,基于忆阻器的神经形态计算系统也在不断发展中,有忆阻器构成的Crossbar阵列可用于加速神经形态计算中常见的矩阵向量乘法,作为一种模拟计算,要想提高计算精度就需要解决Crossbar阵列中互连导线上的电压降以及器件变化所导致的可靠性问题,计算与存储已深度融合。
从器件变化性问题上看,忆阻器的状态变化量近似服从对数正态分布。对此,需要预先测试阵列中所有忆阻器,通过统计它们的阻值状态分布来得到变化性规律。交换权重矩阵的两行或两列,与此同时,交换输入输出向量对应的元素,使得较大的突触权重被映射到具有较小变化性的忆阻器中,从而降低网络输出的变化性。
神经网络的计算规模比较大的时候,传统的二维就要很多的阵列共同计算,能耗增加,采用三维结构之后,柱状电机在同一平面,这样就可以降低整个大规模的神经网络计算的能耗,以及可以实现更低的延迟。此外还可以实现逻辑预算,以满足多变的计算需求。
基于AI的神经网络举证运算,当容量不够时,通过在过大容量的存储空间中做计算,减少数据的移动,能够获得更好的性能。目前,学术界和工业界已推出一些相应的样片,但实际产品还是比较少的。中芯国际和中科院微电子所合作开发了芯片,今年1月,美国Crossbar公司宣布与中芯国际合作开发的40nm工艺的3-D堆叠1TnR阵列的RRAM芯片正式出样,忆阻器真正要到使用还需要经过一段阶段,但是趋势就是大容量。
如何优化大容量RRAM性能?
由于线路电阻和电流泄露IR drop会减小施加在选定单元两端的电压值,而ReRAM单元的RESET延迟和施加在其两端的电压值成指数级反比,IR drop会大大增加访问延迟,为了减小电流泄露,普遍采用半偏置写机制。在缓解IR drop问题上,双端接地电路设计(DSGB),减小了wordline上的IR drop,大大降低了RESET延迟,对于8位写的512×512阵列而言,worst-case RESET延迟 682ns降到240ns 。
采用区域划分的双端写驱动方法,对于8位写的1024×1024阵列而言,不使用DSWD机制的阵列IR drop严重,RESET延迟指数级增大。DSWD机制减小了bitline上的IR drop,提升了512行以上单元的电压,大大降低了RESET延迟。
离write driver近的行在bitline有着较小的IR drop,访问延迟也较小;而离write driver远的行访问延迟较大将crosbar阵列根据不同行的不同延迟,划分为快慢区域。在基于有效电流路径的电压偏置方面,选择离目标单元最近的外围电路对其施加写电压,改善导线上的电压降,降低写延迟;分块对角区域划分:缩小区域内单元访问延迟差异,降低区域的写延迟,不仅在电路方面,针对TLC,忆阻器RRAM可以用编码的方法提高性能。
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5. 有什么好听的韩语歌?
8无疑是hard carry
这首歌是GOT 7在2016年10月8日发行的一个专辑,这首歌非常的令人激动,听着很激情澎拜,感觉整个人都燃起来了。
GOT 7最近才获得了MAMA的World wide Favorite Artist Award奖(好像是全球最佳人气奖)在MAMA演唱了这首非常让人印象深刻的歌
发几张GOT 7在hard carry的照片吧~
金有谦bambam
崔荣宰
Jackson(王嘉尔)
朴珍荣
Mark(段宜恩)
JB(林在范)
如有不全,请告知。希望各位鸟宝宝们喜欢
mua~
6. 开关电源没有电压输出了?
开关电源没有电压输出了,维修步骤是什么?
答:对于刚入门的电子爱好者来说,要有一套修理工具,例如;三位半的数字万用表一块(另外附带可测电容、频率),电烙铁、焊锡丝、吸锡器、松香、酒精、螺丝刀(大、中、小平口和十头)、钳子、剪刀、镊子、毛刷、吹气球、多用排插等等。 会看电路图,会熟练使用万用表,会检测判别各种电子元器件的好坏,懂得基本用电安全常识,会使用电烙铁。
具备上述条件后可进行简单开关电源维修,例如电瓶车的各种充电器。 维修步骤及经验,用万用表直流电压档检测,简称电压法。 修理开关电源时,首先用万用表的电阻档来在不加电源的情况下,检测各种三极管、lGBT部件是否击穿短路,如桥式整流堆,开关管,滤波电解电容,高频整流二极管;抑制浪涌电流的大功率电阻是否烧断。再检测各输出电压端口电阻是否异常,上述部件如有损坏则需根据原来的型号,电阻值,电容容量和耐压值来更换。 上图为Uc3842组成的DC48V电瓶车充电器的电路图 上列表为电路图中元件参数值 下面就上图说一下它的工作原理; 由上图可清楚看出其工作原理:220v交流电经过T0双通滤波抑制干扰,D1(4只桥式整流管或整流堆)整流为脉动直流,再经C11电解电容滤波形成稳定的300V左右的直流电。U1 为TL3842脉宽调制集成电路(PWM)。其5脚为电源负极,7脚为电源正极,6脚为脉冲输出直接驱动场效应管Q1(K1358) 3脚为最大电流限制,调整R25(2.5Ω)的阻值可以调整充电器的最大电流。2脚为电压反馈,可以调节充电器的输出电压。4脚外接振荡电阻R1,和振荡电容C1。T1为高频脉冲变压器,其作用有三个。第一是把高压脉冲将压为低压脉冲。第二是起到隔离高压的作用,以防触电。第三是为uc3842提供工作电源。D4为高频整流管(16A60V)C10为低压滤波电容,D5为12V稳压二极管, U3(TL431)为电压模块,内部有2.5Ⅴ精密基准源,与U2配合(U2为光耦合器4N35) 起到自动调节充电器电压的作用。调整w2(微调电阻)可以细调充电器的电压。D10是电源指示灯。D6为充电指示灯。 R27是电流取样电阻(0.1欧姆,5w)改变W1的阻值可以调整充电器转浮充的拐点电流(200-300 mA)通电开始时,C11上有300v左右电压。此电压一路经T1加载到Q1。第二路经R5,C8,C3, 达到U1的第7脚。强迫U1启动。U1的6脚输出方波脉冲,Q1工作,电流经R25到地。同时T1副线圈产生感应电压,经D3,R12给U1提供可靠电源。T1输出线圈的电压经D4,C10整流滤波得到稳定的电压。此电压一路经D7(D7起到防止电池的电流倒灌给充电器的作用)给电池充电。第二路经R14,D5,C9, 为LM358(双运算放大器),1脚为电源地,8脚为电源正及其外围电路提供12V工作电源。D9为LM358提供基准电压,经R26,R4分压达到LM358的第2脚和第5脚。正常充电时,R27上端有0.15-0.18V左右电压,此电压经R17加到LM358第三脚,从1脚送出高电压。此电压一路经R18,强迫Q2导通,D6(红灯)点亮,第二路注入LM358的6脚,7脚输出低电压,使Q3关断,D10(绿灯)熄灭,充电器进入恒流充电阶段。当电池电压上升到50.2V左右时,充电器进入恒压充电阶段,输出电压维持在52.5V左右,充电器进入恒压充电阶段,电流逐渐减小。当充电电流减小到250mA—350mA时,R27上端的电压下降,LM358的3脚电压低于2脚,1脚输出低电压,Q2关断,D6熄灭。同时7脚输出高电压,此电压一路使Q3导通,D10点亮。另一路经D8,W1到达反馈电路,使电压降低。充电器进入细流充电阶段。1-2小时后充电结束。 接上面,当在不通电没有短路情况完成后,接通电源后还不能正常工作,接着要检测UC3842集成块,它是一只电流控制型脉宽调制(简称PWM模块)8脚芯片,在电路中它为单端输出,直接驱动Q1(k1358)场效应MOS管,查阅相关资料得知; ①脚是误差放大器的输出端,外接阻容元件用于改善误差放大器的增益和频率特性,C0MP一0UT3.5Ⅴ。 ② 脚是反馈电压输入端,此脚电压与误差放大器同相端的2.5V 基准电压进行比较,产生误差电压,从而控制脉冲宽度,FB(-)lN2.5V。 ③ 脚为电流检测输入端, 当检测电压超过1V时缩小脉冲宽度使电源处于间歇工作状态,LSNS-lN0.5mV。 ④脚为定时端,内部振荡器的工作频率由外接的阻容时间常数决定,f=1.72/(RT×CT)2.4V。 ⑤脚为公共地端,GND 0Ⅴ。 ⑥脚为推挽输出端,内部为图腾柱式,上升、下降时间仅为50ns 驱动能力为±1A ,V-oUT1.2Ⅴ。 ⑦脚是直流电源供电端,具有欠、过压锁定功能,芯片功耗为15mW,Vcc-丨N1.2Ⅴ。 ⑧脚为5V 基准电压输出端,有50mA 的负载能力,vREF-0UT5Ⅴ。 熟悉PWM模块每个脚的功能及其模块正常工作的必备条件。 然后接着检测UC3842(PWM)组件的工作状态,就是八个脚的工作电压。在开关电源维修实践中,有许多开关电源采用UC3842系列8脚PWM组件,大多数电源不能工作都是因为电源启动电阻损坏,或UC3842PWM集成块性能下降而导致。
开关电源电路有易有难,功率有大有小,输出电压多种多样,所以从最简单便宜的充电器来学习,只要掌握其核心的东西,即充分熟悉开关电源的基本结构以及PWM模块的特性,它们工作的基本条件,按照上述步骤和方法,多动手进行开关电源的维修,就能迅速地排除开关电源故障。 常见电瓶充电器的故障有三大类:
1、电源输入220v高压故障 。
2、48V低压输出故障。
3、220V输入,48低压输出均有故障。
220V高压故障的主要特点为电源指示灯不亮,其特征有保险丝熔断,整流二极管D1击穿,电容C11鼓包或炸裂。Q1击穿,R25开路。U1的7脚对地短路。R5开路,U1无启动电压。更换以上元件即可修复。若U1的7脚有11V以上电压,8脚有5V电压,说明U1基本正常。应重点检测Q1和T1的引脚是否有虚焊。若连续击穿Q1,且Q1不发烫,一般是D2,C4失效,若是Q1击穿且发烫,一般是低压部分有漏电或短路,过大或UC3842的6脚输出脉冲波形不正常,Q1的开关损耗和发热量大增,导致Q1过热烧毁。高压故障的其他现象还有指示灯闪烁,输出电压偏低并且不稳定,一般是T1的引脚有虚焊,或者D3,R12开路,TL3842及其外围电路无工作电源。另有一种特别的高压故障是输出电压高达120V以上,一般是U2失效,R13开路所致或U3击穿使U1的2脚电压拉低,6脚送出超宽脉冲。此时不能长时间通电,否则将严重烧毁低压电路。低压故障大部分是充电器与电池正负极接反,导致R27烧断,LM358击穿。其现象是红灯一直亮,绿灯不亮,输出电压低,或者输出电压接近0V,更换以上元件即可修复。另外W2因内部氧化造成接触不良,使输出电压漂移,若输出电压偏高,电池会过充,严重失水,发烫,最终导致热失控,充爆电池。若输出电压偏低,会导致电池欠充。高低压电路均有故障时,通电前应首先全面检测所有的二极管,三极管,光耦合器4N35,场效应管,电解电容,集成电路,R25,R5,R12,R27,尤其是D4(16A/60V,快恢复二极管),C10(470uf/63V)。避免通电时间长使故障范围进一步扩大。
个人水平有限,文章中排序有点杂乱无章,但意思是善良的,如今这些带有一点雕虫小技的文章都要用钱买的,有意思学习阅者收藏着慢慢看吧。
友情提示:刚入门的电子爱好者,在检修过程中注意用电安全,胆大心细是必须具备的。祝你们一步一个脚印。
知足常乐2018.2.1
7. 三星emcp命名规则?
三星电子为其eMCP(embedded Multi-Chip Package,嵌入式多芯片封装)产品采用以下命名规则:1. X:系列代号。通常以X起始,如X001、X002等。2. S:单芯片规格,表示只包含主存储器(NAND Flash)的芯片。3. P:多芯片规格,表示除主存储器外,还包含其他类型的芯片,例如DRAM。4. D:双通道规格,表示芯片具有两个通道/接口。5. X:NAND Flash密度,一般为数字,表示主存储器的容量。6. Y:DRAM容量,一般为数字,表示附加的DRAM容量。根据以上命名规则,例如,一个三星eMCP产品的型号可能是X001PS16GY,表示这个产品是X001系列的,具有单芯片规格且包含16GB的NAND Flash和附加的DRAM(容量不详)。请注意,这个命名规则可能会有些变化,具体型号仍需根据产品规格和数据手册来确认。
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1. tlc-f,tcl智能锁安装全过程?
安装锁芯,将锁芯11装入门上孔内,用螺钉将其固定好,并将锁芯线穿入门内侧。安装锁头:将锁头14拧入锁芯孔内,拧到锁头伸出部分和前盖板高度相等为止。安装前锁盖:将把手弹簧放入前锁把手孔内大方轴放入锁芯拔孔内,前盖板把手孔与大方轴,锁头孔与锁头对正,合上前盖板。插件:将锁芯线插头插到前锁盖上电脑板相应的插座上。
安装后锁盖:将把手弹簧装入后锁盖把手孔内,小方轴装入旋钮孔内,大方轴装入锁芯拔叉孔内。将后锁盖把手孔与大方轴、小方轴与锁芯小方轴孔对正,合上后锁盖。
上固定螺钉:调正前后锁盖位置,将4个锁盖固定螺钉拧好。固定锁头:调整锁位置,使其端面和前锁盖平,锁孔处于垂直位置,将锁头固定螺钉拧紧。装电池盖:将电池盒插入锁芯电池盒架内。上侧饰板:用螺钉8将侧饰板固定好。检查门锁
2. TCL显示器花屏是什么故障?
TCL电视机花屏的一般原因及处理方法:
1、如果电视机开机时正常 ,几分钟后变为花屏 ,变花屏后屏幕亮度变亮 ;一般可通过测量逻辑板上的GAMMA校正电压,常见的就是AS15-G故障,可以触摸AS15-G是否发烫;如果会烫手则判断为AS15-G故障;主要测量各个GAMMA电压是否异常,以判断具体哪一个GAMMA电压错误,更换新的AS15-G即可恢复正常;
2、如果是屏幕的色彩显示混乱导致的花屏,一般可判断为液晶屏本身的问题;因为液晶屏显示图像要有背光源和能够改变液晶体排列方向的电路,该电路分别控制着液晶RGB三种颜色像素小点,一旦出现故障就会导致却色或引起花屏;
3、一般TCL电视机花屏都是与电视机的硬件故障有关,包括屏幕故障、屏幕排线故障或者主板上的电路、电容故障,以及其他内部零部件故障都可能导致花屏;普通用户建议联系电视机的售后服务对电视机进行全面的检测和保修。
3. 如何组装一台电脑?
装一台电脑是很麻烦的,下来我给大家说说。
先是CPU安装
一,拿出主板,先装CPU,以英特尔处理器为例,注意好CPU上的凹陷口,对准CPU插槽。
二,拉起拉杆,打开CPU插槽上盖,将CPU对准后直接放入插好即可。
三,合上盖子,然后将拉杆复位,此时塑料盖会自动弹出,然后就是涂抹散热硅脂,注意只需要薄薄一层就行,切勿太厚。
散热器安装
一,安装CPU后就是安装散热器,散热器有两种。如果是原装散热器,那么散热器底部是自带硅脂的,如果非原装,那么自己涂一下就行。塑料针脚卡扣与主板上的开孔是对应的,直接对准装上去就行,很简单。
二,安装到主板后,再将供电线连接到主板的CPU FAN插槽上,主板上会写着。完成后,检查主板背部,看看散热器的卡扣是否完全扣在主板上。
内存条安装
内存条安装很是简单,只需要注意卡扣,安装内存条时要先把卡扣打开,然后对准插入内存条就行,在安装内存条时,如果你是两根内存条,需要组建双通道,只需要安装到同一颜色就行。
M.2固态硬盘安装
主板上一般支持2242、2260、2280三种M.2固态硬盘,安装方法也很简单,金手指插入M.2插槽后,用螺丝固定即可。
安装主板
完成以上步骤后才能安装主板。
首先将I/O挡板固定在机箱上,然后主板对着I/O接口放到机箱里面,在用螺丝固定好就行了。如果机箱有自带风扇,那么还需要把风扇的供电线连接到主板上的SYS_FAN接口
连接接口
连接前置音频接口,一般标有HD AUDIO,在主板上找到相应的插针,主板上也会有标识,然后直接插入即可。连接USB接口,与音频接口一样,找到相应的标识然后插入,其他接口以此类推。跳线,跳线有POWER SW电源开关、LED POWER+/-电源指示灯、HDD LED硬盘指示灯、PESET SW重启按钮,每个主板的连接都不同,但是有一点是一样的,就是找到相应的标识,不管是什么接口,主板和连接线上都会有英文字母标识,找到对应的安装就行了。
安装显卡
没有显卡就不用看了,如果需要安装独立显卡,请打开显卡PCI-EX16插槽尾部的固定卡扣,然后安装显卡。
安装电源
一般机箱都采用下置电源设计,所以在安装电源的时候,电源风扇要向下吹风。电源的24pin先插入主板对应的插槽。电源上的8pin CPU线,接口上会写CPU,接到靠近8pin CPU接口中,如果主板是4pin CPU的插槽,那么可以将8pin CPU线分解。把PCI-E供电线插入显卡的外置供电线。
最后就是
完成最后的电源安装,那么电脑也就算装完了,其实还是挺简单的,完成后,需要进行测试,连接显示器、键鼠直接开机,进BIOS设置好硬盘启动,然后安装系统。
4. RRAM最近怎么没消息了?
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一文读懂RRAM,为啥说它最有希望取代DRAM?
2017-12-12 11:02:06 来源:存储在线
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RRAMDRAM
日前,一年一度的中国存储峰会在北京如期举行,“数据中流击水,浪遏飞舟”是今年大会主题,论道存储未来,让数据释放价值,业界嘉宾围绕中国及全球存储市场的现状与发展趋势进行了深入解读,干货满满。
下午第三分论坛,中国计算机协会信息存储专委会主任冯丹作为开场嘉宾,就算存融合的忆阻器发展趋势及RRAM(阻变存储器)性能优化方法展开主题演讲。冯丹表示,当前忆阻器呈现出大容量、计算与存储深度融合的发展趋势,而RRAM容量很大,速度快、能耗低,RRAM也认为是下一代代替DRAM(动态随机存储器)的一个很好的选择。
冯丹从三个方面介绍忆阻器的相关发展,首先是市场需求,IDC预计,到2020年全球的数据量将达到40ZB,数据量强大,另外一方面是对存储的需求,包括高性能计算的存储需求,以及各种各样的网络应用,对存储的需求是速度更快。例如12306,春运时每天超过300亿次PV操作,每秒并发访问1.3 GB的数据,对内存的需求非常大,包括大数据分析等都是放在内存里,而大规模计算所需内存容量将是现在的1000倍,内存需求以及供给存在巨大差距。
忆阻器RRAM最有希望取代DRAM
当前,DRAM以电容器中电荷量的多少来存储数据,电容器必须设计的足够大以增加保留时间,降低刷新频率,这样就导致容量和能耗受限,工艺制程难以下降,而CPU性能的增长速度飞快,内存容量的增长远低于CPU性能的增长速度,也就是通常所说的内存强的问题,另外是能耗问题,随着容量的进一步增大,泄漏功耗进一步的增加,服务器40-50%能耗来自内存,DRAM的能耗中有40%来自刷新。
ITRS报告指出,DRAM很难在20nm技术结点以下保持可扩展性,DRAM工艺在达到X-nm之后将会停止,当DRAM工艺到了几个纳米之后,扩展性受限。冯丹表示,比较包括自旋转移在内的几种存储器,其中最典型的代表就是忆阻变,通过不断的研究发展,当前的RRAM容量很大,速度很快能耗很低,所以也认为RRAM也是下一代代替DRAM的一个很好的选择。
以RRAM为例,用忆阻器来做存储,金属氧化物的存储器的主要原理,首先就是在低阻态状态下,存储器可以使导电丝断掉,成为高阻态,而这个操作时间是比较长的,延迟较大,同样在这种状态下,再加上一定大小的电压,就使得导电丝从高阻态变成了低阻态。
RRAM阵列的结构有两种,一种是交叉点结构,单晶体管单电阻(1T1R)阵列的结构是,在每一个交叉点都需要一个访问晶体管,以独立选通每一个单元。但它的缺点也非常明显,1T1R结构的RRAM的总芯片面积取决于晶体管占用的面积,因此存储密度较低。Crossbar结构也颇受关注,每一个存储单元位于水平的字线(WL)和垂直的位线(BL)的交叉点处。每个单元占用的面积为4F²(F是技术特征尺寸),达到了单层阵列的理论最小值。其优点是存储密度较高,而存在互连线上的电压降和潜行电流路径,造成读写性能下降,能耗上升以及写干扰等问题则是其缺点所在,很多的研究都是围绕这一类展开。
RRAM最大的缺点是其严重的器件级变化性,RRAM器件状态的转变需要通过给两端电极施加电压来控制氧离子在电场驱动下的漂移和在热驱动下的扩散两方面的运动,使得导电丝的三维形貌难以调控,再加上噪声的影响,造成了器件级变化性。器件级变化性是制造可靠的芯片产品的关键问题。
大容量、计算与存储深度融合成为忆阻器的发展趋势
Crossbar结构的RRAM比1T1R结构的RRAM存储容量大,SLC的性能比MLC的性能高,而RRAM原型芯片的存储容量由Mb级逐渐向Gb级发展,技术结点逐渐缩小,读写性能逐渐提高。从容量和读写带宽的发展对比来看,RRAM虽发展较晚,但存储容量增长迅速,相比于PCRAM和STT-MRAM,RRAM在读写带宽当方面更具优势。另一方面,基于忆阻器的神经形态计算系统也在不断发展中,有忆阻器构成的Crossbar阵列可用于加速神经形态计算中常见的矩阵向量乘法,作为一种模拟计算,要想提高计算精度就需要解决Crossbar阵列中互连导线上的电压降以及器件变化所导致的可靠性问题,计算与存储已深度融合。
从器件变化性问题上看,忆阻器的状态变化量近似服从对数正态分布。对此,需要预先测试阵列中所有忆阻器,通过统计它们的阻值状态分布来得到变化性规律。交换权重矩阵的两行或两列,与此同时,交换输入输出向量对应的元素,使得较大的突触权重被映射到具有较小变化性的忆阻器中,从而降低网络输出的变化性。
神经网络的计算规模比较大的时候,传统的二维就要很多的阵列共同计算,能耗增加,采用三维结构之后,柱状电机在同一平面,这样就可以降低整个大规模的神经网络计算的能耗,以及可以实现更低的延迟。此外还可以实现逻辑预算,以满足多变的计算需求。
基于AI的神经网络举证运算,当容量不够时,通过在过大容量的存储空间中做计算,减少数据的移动,能够获得更好的性能。目前,学术界和工业界已推出一些相应的样片,但实际产品还是比较少的。中芯国际和中科院微电子所合作开发了芯片,今年1月,美国Crossbar公司宣布与中芯国际合作开发的40nm工艺的3-D堆叠1TnR阵列的RRAM芯片正式出样,忆阻器真正要到使用还需要经过一段阶段,但是趋势就是大容量。
如何优化大容量RRAM性能?
由于线路电阻和电流泄露IR drop会减小施加在选定单元两端的电压值,而ReRAM单元的RESET延迟和施加在其两端的电压值成指数级反比,IR drop会大大增加访问延迟,为了减小电流泄露,普遍采用半偏置写机制。在缓解IR drop问题上,双端接地电路设计(DSGB),减小了wordline上的IR drop,大大降低了RESET延迟,对于8位写的512×512阵列而言,worst-case RESET延迟 682ns降到240ns 。
采用区域划分的双端写驱动方法,对于8位写的1024×1024阵列而言,不使用DSWD机制的阵列IR drop严重,RESET延迟指数级增大。DSWD机制减小了bitline上的IR drop,提升了512行以上单元的电压,大大降低了RESET延迟。
离write driver近的行在bitline有着较小的IR drop,访问延迟也较小;而离write driver远的行访问延迟较大将crosbar阵列根据不同行的不同延迟,划分为快慢区域。在基于有效电流路径的电压偏置方面,选择离目标单元最近的外围电路对其施加写电压,改善导线上的电压降,降低写延迟;分块对角区域划分:缩小区域内单元访问延迟差异,降低区域的写延迟,不仅在电路方面,针对TLC,忆阻器RRAM可以用编码的方法提高性能。
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5. 有什么好听的韩语歌?
8无疑是hard carry
这首歌是GOT 7在2016年10月8日发行的一个专辑,这首歌非常的令人激动,听着很激情澎拜,感觉整个人都燃起来了。
GOT 7最近才获得了MAMA的World wide Favorite Artist Award奖(好像是全球最佳人气奖)在MAMA演唱了这首非常让人印象深刻的歌
发几张GOT 7在hard carry的照片吧~
金有谦bambam
崔荣宰
Jackson(王嘉尔)
朴珍荣
Mark(段宜恩)
JB(林在范)
如有不全,请告知。希望各位鸟宝宝们喜欢
mua~
6. 开关电源没有电压输出了?
开关电源没有电压输出了,维修步骤是什么?
答:对于刚入门的电子爱好者来说,要有一套修理工具,例如;三位半的数字万用表一块(另外附带可测电容、频率),电烙铁、焊锡丝、吸锡器、松香、酒精、螺丝刀(大、中、小平口和十头)、钳子、剪刀、镊子、毛刷、吹气球、多用排插等等。 会看电路图,会熟练使用万用表,会检测判别各种电子元器件的好坏,懂得基本用电安全常识,会使用电烙铁。
具备上述条件后可进行简单开关电源维修,例如电瓶车的各种充电器。 维修步骤及经验,用万用表直流电压档检测,简称电压法。 修理开关电源时,首先用万用表的电阻档来在不加电源的情况下,检测各种三极管、lGBT部件是否击穿短路,如桥式整流堆,开关管,滤波电解电容,高频整流二极管;抑制浪涌电流的大功率电阻是否烧断。再检测各输出电压端口电阻是否异常,上述部件如有损坏则需根据原来的型号,电阻值,电容容量和耐压值来更换。 上图为Uc3842组成的DC48V电瓶车充电器的电路图 上列表为电路图中元件参数值 下面就上图说一下它的工作原理; 由上图可清楚看出其工作原理:220v交流电经过T0双通滤波抑制干扰,D1(4只桥式整流管或整流堆)整流为脉动直流,再经C11电解电容滤波形成稳定的300V左右的直流电。U1 为TL3842脉宽调制集成电路(PWM)。其5脚为电源负极,7脚为电源正极,6脚为脉冲输出直接驱动场效应管Q1(K1358) 3脚为最大电流限制,调整R25(2.5Ω)的阻值可以调整充电器的最大电流。2脚为电压反馈,可以调节充电器的输出电压。4脚外接振荡电阻R1,和振荡电容C1。T1为高频脉冲变压器,其作用有三个。第一是把高压脉冲将压为低压脉冲。第二是起到隔离高压的作用,以防触电。第三是为uc3842提供工作电源。D4为高频整流管(16A60V)C10为低压滤波电容,D5为12V稳压二极管, U3(TL431)为电压模块,内部有2.5Ⅴ精密基准源,与U2配合(U2为光耦合器4N35) 起到自动调节充电器电压的作用。调整w2(微调电阻)可以细调充电器的电压。D10是电源指示灯。D6为充电指示灯。 R27是电流取样电阻(0.1欧姆,5w)改变W1的阻值可以调整充电器转浮充的拐点电流(200-300 mA)通电开始时,C11上有300v左右电压。此电压一路经T1加载到Q1。第二路经R5,C8,C3, 达到U1的第7脚。强迫U1启动。U1的6脚输出方波脉冲,Q1工作,电流经R25到地。同时T1副线圈产生感应电压,经D3,R12给U1提供可靠电源。T1输出线圈的电压经D4,C10整流滤波得到稳定的电压。此电压一路经D7(D7起到防止电池的电流倒灌给充电器的作用)给电池充电。第二路经R14,D5,C9, 为LM358(双运算放大器),1脚为电源地,8脚为电源正及其外围电路提供12V工作电源。D9为LM358提供基准电压,经R26,R4分压达到LM358的第2脚和第5脚。正常充电时,R27上端有0.15-0.18V左右电压,此电压经R17加到LM358第三脚,从1脚送出高电压。此电压一路经R18,强迫Q2导通,D6(红灯)点亮,第二路注入LM358的6脚,7脚输出低电压,使Q3关断,D10(绿灯)熄灭,充电器进入恒流充电阶段。当电池电压上升到50.2V左右时,充电器进入恒压充电阶段,输出电压维持在52.5V左右,充电器进入恒压充电阶段,电流逐渐减小。当充电电流减小到250mA—350mA时,R27上端的电压下降,LM358的3脚电压低于2脚,1脚输出低电压,Q2关断,D6熄灭。同时7脚输出高电压,此电压一路使Q3导通,D10点亮。另一路经D8,W1到达反馈电路,使电压降低。充电器进入细流充电阶段。1-2小时后充电结束。 接上面,当在不通电没有短路情况完成后,接通电源后还不能正常工作,接着要检测UC3842集成块,它是一只电流控制型脉宽调制(简称PWM模块)8脚芯片,在电路中它为单端输出,直接驱动Q1(k1358)场效应MOS管,查阅相关资料得知; ①脚是误差放大器的输出端,外接阻容元件用于改善误差放大器的增益和频率特性,C0MP一0UT3.5Ⅴ。 ② 脚是反馈电压输入端,此脚电压与误差放大器同相端的2.5V 基准电压进行比较,产生误差电压,从而控制脉冲宽度,FB(-)lN2.5V。 ③ 脚为电流检测输入端, 当检测电压超过1V时缩小脉冲宽度使电源处于间歇工作状态,LSNS-lN0.5mV。 ④脚为定时端,内部振荡器的工作频率由外接的阻容时间常数决定,f=1.72/(RT×CT)2.4V。 ⑤脚为公共地端,GND 0Ⅴ。 ⑥脚为推挽输出端,内部为图腾柱式,上升、下降时间仅为50ns 驱动能力为±1A ,V-oUT1.2Ⅴ。 ⑦脚是直流电源供电端,具有欠、过压锁定功能,芯片功耗为15mW,Vcc-丨N1.2Ⅴ。 ⑧脚为5V 基准电压输出端,有50mA 的负载能力,vREF-0UT5Ⅴ。 熟悉PWM模块每个脚的功能及其模块正常工作的必备条件。 然后接着检测UC3842(PWM)组件的工作状态,就是八个脚的工作电压。在开关电源维修实践中,有许多开关电源采用UC3842系列8脚PWM组件,大多数电源不能工作都是因为电源启动电阻损坏,或UC3842PWM集成块性能下降而导致。
开关电源电路有易有难,功率有大有小,输出电压多种多样,所以从最简单便宜的充电器来学习,只要掌握其核心的东西,即充分熟悉开关电源的基本结构以及PWM模块的特性,它们工作的基本条件,按照上述步骤和方法,多动手进行开关电源的维修,就能迅速地排除开关电源故障。 常见电瓶充电器的故障有三大类:
1、电源输入220v高压故障 。
2、48V低压输出故障。
3、220V输入,48低压输出均有故障。
220V高压故障的主要特点为电源指示灯不亮,其特征有保险丝熔断,整流二极管D1击穿,电容C11鼓包或炸裂。Q1击穿,R25开路。U1的7脚对地短路。R5开路,U1无启动电压。更换以上元件即可修复。若U1的7脚有11V以上电压,8脚有5V电压,说明U1基本正常。应重点检测Q1和T1的引脚是否有虚焊。若连续击穿Q1,且Q1不发烫,一般是D2,C4失效,若是Q1击穿且发烫,一般是低压部分有漏电或短路,过大或UC3842的6脚输出脉冲波形不正常,Q1的开关损耗和发热量大增,导致Q1过热烧毁。高压故障的其他现象还有指示灯闪烁,输出电压偏低并且不稳定,一般是T1的引脚有虚焊,或者D3,R12开路,TL3842及其外围电路无工作电源。另有一种特别的高压故障是输出电压高达120V以上,一般是U2失效,R13开路所致或U3击穿使U1的2脚电压拉低,6脚送出超宽脉冲。此时不能长时间通电,否则将严重烧毁低压电路。低压故障大部分是充电器与电池正负极接反,导致R27烧断,LM358击穿。其现象是红灯一直亮,绿灯不亮,输出电压低,或者输出电压接近0V,更换以上元件即可修复。另外W2因内部氧化造成接触不良,使输出电压漂移,若输出电压偏高,电池会过充,严重失水,发烫,最终导致热失控,充爆电池。若输出电压偏低,会导致电池欠充。高低压电路均有故障时,通电前应首先全面检测所有的二极管,三极管,光耦合器4N35,场效应管,电解电容,集成电路,R25,R5,R12,R27,尤其是D4(16A/60V,快恢复二极管),C10(470uf/63V)。避免通电时间长使故障范围进一步扩大。
个人水平有限,文章中排序有点杂乱无章,但意思是善良的,如今这些带有一点雕虫小技的文章都要用钱买的,有意思学习阅者收藏着慢慢看吧。
友情提示:刚入门的电子爱好者,在检修过程中注意用电安全,胆大心细是必须具备的。祝你们一步一个脚印。
知足常乐2018.2.1
7. 三星emcp命名规则?
三星电子为其eMCP(embedded Multi-Chip Package,嵌入式多芯片封装)产品采用以下命名规则:1. X:系列代号。通常以X起始,如X001、X002等。2. S:单芯片规格,表示只包含主存储器(NAND Flash)的芯片。3. P:多芯片规格,表示除主存储器外,还包含其他类型的芯片,例如DRAM。4. D:双通道规格,表示芯片具有两个通道/接口。5. X:NAND Flash密度,一般为数字,表示主存储器的容量。6. Y:DRAM容量,一般为数字,表示附加的DRAM容量。根据以上命名规则,例如,一个三星eMCP产品的型号可能是X001PS16GY,表示这个产品是X001系列的,具有单芯片规格且包含16GB的NAND Flash和附加的DRAM(容量不详)。请注意,这个命名规则可能会有些变化,具体型号仍需根据产品规格和数据手册来确认。
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